從長江存儲和華力微設(shè)備采購清單，看半導(dǎo)體設(shè)備競爭格局！

2018是國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備拐點(diǎn)之年

伴隨晶圓廠向國內(nèi)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，國內(nèi)迎來晶圓廠的建設(shè)熱潮。據(jù)我們統(tǒng)計(jì)，截至2018年7月，共有9條產(chǎn)線處于量產(chǎn)/試投產(chǎn)階段，有8條產(chǎn)線處于廠房建設(shè)初期，另有兩條產(chǎn)線處于項(xiàng)目啟動期。各條產(chǎn)線進(jìn)度不一，形成了持續(xù)的晶圓廠建設(shè)梯隊(duì)。

綜合我們對于晶圓廠建設(shè)周期的判斷和投資的分布情況，我們對目前在建晶圓廠的投資情況進(jìn)行分析，拆分其設(shè)備投資的額度及時(shí)間。據(jù)我們測算，預(yù)計(jì)2018-2020年三年內(nèi)，國內(nèi)晶圓廠的設(shè)備投資額度高達(dá)近4000億元。

而過去16年間，晶圓廠設(shè)備總投資不過2800億元，意味著國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備投資在經(jīng)歷了2012至2017年的小幅加速后，在2018至2020年將迎來爆發(fā)性增長，形成重要的向上拐點(diǎn)之年。主要測算假設(shè)為：晶圓廠從動工到量產(chǎn)通常需要1年半到2年時(shí)間，設(shè)備采購在投產(chǎn)前1年左右開始，且大部分采購在投產(chǎn)前后一年完成。（1）對在建產(chǎn)線按披露規(guī)劃時(shí)間，以投產(chǎn)前12個(gè)月為設(shè)備采購起點(diǎn)，按照40%、30%、20%、10%對后4年進(jìn)行設(shè)備投資的加權(quán)平均測算。（2）對擬建產(chǎn)線，按照2020-2024年5年粗略進(jìn)行平均。測算假設(shè)的主要風(fēng)險(xiǎn)包括：晶圓廠建設(shè)及投資進(jìn)度不及預(yù)期，設(shè)備投資規(guī)模不及預(yù)期，設(shè)備投資時(shí)點(diǎn)分布與實(shí)際有所偏差。

詳解國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌隹臻g與競爭格局

晶圓廠的制造工藝流程可以分為多個(gè)階段。其中，光刻、刻蝕及薄膜沉積為核心步驟，而清洗設(shè)備和過程工藝控制作為重要的輔助工藝貫穿全程，半導(dǎo)體測試工藝也是晶圓制造的重要補(bǔ)充和保障。

對應(yīng)于細(xì)分工藝領(lǐng)域的不同，半導(dǎo)體設(shè)備也具有多類細(xì)分領(lǐng)域，且每種細(xì)分設(shè)備有著不同的市場空間。根據(jù)Gartner的歷史各種設(shè)備投資占比數(shù)據(jù)與我們對未來設(shè)備投資總額度的測算，各類設(shè)備在未來三年內(nèi)將均有較高的市場空間。光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備的市場空間將分別達(dá)到1082億、434億和794億元，重要輔助設(shè)備過程工藝控制設(shè)備和清洗設(shè)備空間則分別達(dá)到403億和275億元。

就市場競爭格局而言，各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域主要仍由國際龍頭掌控，但國內(nèi)設(shè)備企業(yè)積極布局，已在多個(gè)領(lǐng)域有所布局和突破。如北方華創(chuàng)在硅刻蝕領(lǐng)域、中微半導(dǎo)體在介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域均有一定影響力，并經(jīng)過客戶驗(yàn)證。在清洗設(shè)備領(lǐng)域，北方華創(chuàng)、盛美半導(dǎo)體和至純科技也均有突破。部分領(lǐng)域雖有布局，但產(chǎn)品競爭力較弱，尚待進(jìn)一步發(fā)展，如光刻機(jī)領(lǐng)域的上海微電裝備。此外，在少數(shù)領(lǐng)域，國內(nèi)企業(yè)尚未突破壁壘，形成布局，如探針臺領(lǐng)域和離子注入設(shè)備。
從長江存儲和華力微設(shè)備采購清單看半導(dǎo)體設(shè)備競爭格局

產(chǎn)線概況

長江存儲：總投資240億美元，計(jì)劃2018年投產(chǎn)，2020年形成月產(chǎn)能30萬片的規(guī)模。2016年12月項(xiàng)目正式動工，計(jì)劃分三個(gè)階段，共建三座3D-NAND Flash廠房，其中第一階段的廠房已于2017年9月完成建設(shè)，2018年4月生產(chǎn)機(jī)臺正式進(jìn)場安裝；設(shè)備搬入與調(diào)試預(yù)計(jì)耗費(fèi)3個(gè)月，然后進(jìn)入小規(guī)模試產(chǎn)；如順利，Q4實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。初期投片量不超過1萬片，用于生產(chǎn)32層3D-NAND Flash產(chǎn)品，不少產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)都拿到了樣片測試。

華虹六廠：由華虹集團(tuán)旗下上海華力集成電路制造有限公司建設(shè)和營運(yùn)的12英寸先進(jìn)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目（以下簡稱“華虹六廠”），總投資387億元人民幣，是上海市目前最大的集成電路產(chǎn)業(yè)投資項(xiàng)目，計(jì)劃于2022年底建成月產(chǎn)能4萬片的12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線。2018年5月，華力集成首臺光刻機(jī)入場，1萬片產(chǎn)能訂單已全部放出；未來5個(gè)月工藝設(shè)備集中搬入，18年底試生產(chǎn)達(dá)到1萬片月產(chǎn)能。

細(xì)分領(lǐng)域競爭格局

我們統(tǒng)計(jì)了截止2018年7月中國招標(biāo)網(wǎng)上有關(guān)長江存儲及上海華力二期的設(shè)備招標(biāo)中標(biāo)情況，按照主要設(shè)備中標(biāo)數(shù)量，具備以下特點(diǎn)：

（1）國產(chǎn)裝備已經(jīng)形成系列化布局。包括在核心設(shè)備如沉積設(shè)備、刻蝕、清洗、過程工藝控制，均有國內(nèi)企業(yè)中標(biāo)。此外，在氧化爐、研磨拋光設(shè)備、勻膠設(shè)備、高純系統(tǒng)也有國內(nèi)企業(yè)中標(biāo)。但僅從長江存儲與華力二期的中標(biāo)情況看，測試設(shè)備、光刻機(jī)和離子注入設(shè)備國產(chǎn)設(shè)備是空白。

（2）部分國產(chǎn)裝備企業(yè)在細(xì)分領(lǐng)域已經(jīng)具有一定的占有率，獲得重復(fù)訂單，在單條產(chǎn)線的累計(jì)中標(biāo)比例超過10%。比如中微半導(dǎo)體的介質(zhì)刻蝕設(shè)備、北方華創(chuàng)的濺射設(shè)備、盛美的清洗設(shè)備。其他的有中標(biāo)的重要本土企業(yè)還包括上海睿勵(lì)、沈陽芯源、華海清科等。